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SiC MOSFET

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SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應用優(yōu)勢

由于第四橋臂的引入，對比三相三橋臂變換器，負載相電壓的電平數(shù)從五個(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(±Udc,0)，因此自然的，相同電路...

2025-07-14 標簽：電流變換器 SiC MOSFET 125 0

驅動電路設計（七）——自舉電源在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應用

隨著功率半導體IGBT，SiCMOSFET技術的發(fā)展和系統(tǒng)設計的優(yōu)化，電平位移驅動電路應用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200...

2025-03-24 標簽：電源電路設計 PFC 3083 0

SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設計中的優(yōu)勢

使用寬帶隙半導體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應用。SiC晶體管的高速開關特性以及低反向恢復電荷，或氮化鎵HEMT的...

2025-03-21 標簽：電源開關 LLC變換器 SiC MOSFET 400 0

案例探討正電壓浪涌的對策和其效果

為了驗證抑制電路的效果，將抑制電路單獨安裝在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驅動電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和...

2024-01-26 標簽：電容器驅動電路電壓浪涌 789 0

SiC MOSFET的橋式結構

2023-12-07 標簽：SiC MOSFET 814 0

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

2023-12-05 標簽：SiC 驅動電壓 SiC MOSFET 2903 0

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

2023-08-16 標簽：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 833 0

特斯拉Model Y Gen-4主驅逆變器拆解

Model-Y Drive Unit的主要改進：不再使用泄放電阻（可能使用電機繞組對母線電容放電）；使用本地隔離偏置為柵極驅動器電路供電，以降低...

2023-06-15 標簽：變壓器逆變器特斯拉 3406 0

新能源汽車功率模塊結溫在線監(jiān)測技術研究

提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導通壓降及電流在線檢測電路，設計了兼具結溫監(jiān)測功能的驅動電路，并提出了- -種結溫反推方法，提升了結...

2023-05-23 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 663 0

一文詳解功率器件封裝結構熱設計方案

通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻的總結，從器件封裝結構散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

2023-04-26 標簽：pcb 半導體技術功率器件 2211 0

sic mosfet帖子

麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態(tài)測試中的應用

標簽：SiC MOSFET 842 0

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1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-01-03 標簽：Nexperia SiC MOSFET 320 0

NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標簽：SiC MOSFET 275 0

NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標簽：SiC MOSFET 245 0

用于直流變換器的SiC MOSFET驅動電路設計立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2023-11-30 標簽：直流變換器驅動電路 SiC MOSFET 432 0

基于SiC MOSFET的精確分析模型立即下載

類別：電源技術 2018-03-13 標簽：SiC MOSFET 1538 0

SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型立即下載

類別：電工論文網(wǎng) 2018-02-01 標簽：SiC MOSFET 1017 0

sic mosfet資訊

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界關鍵詞：1200V/...

2025-06-24 標簽：封裝 BASIC SiC MOSFET 125 0

SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路

SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路碳化硅（SiC）MOSFET因其高耐壓、低損耗等特性，在新能源、電動汽車等領域備受關注。然而，柵...

2025-05-27 標簽：柵極 SiC MOSFET 140 0

SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術優(yōu)勢與應用價值

基本半導體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術優(yōu)勢與應用價值隨著AI數(shù)據(jù)中心對算力需求的爆發(fā)...

2025-05-23 標簽：電源系統(tǒng)英偉達 SiC MOSFET 301 0

新品 | 采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板

新品采用電平位移驅動器碳化硅SiCMOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設備會污染電網(wǎng)，導致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源...

2025-05-22 標簽：驅動器評估板碳化硅 555 0

Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分...

2025-05-08 標簽：Nexperia SiC MOSFET 汽車 321 0

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...

2025-04-30 標簽：英飛凌碳化硅 SiC MOSFET 242 0

SiC功率模塊工商業(yè)儲能PCS的主流化與SiC單管并聯(lián)方案的運維成本劣勢

E2B碳化硅SiC功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的主流化與單管并聯(lián)方案的運維成本劣勢傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(...

2025-05-06 標簽：SiC 功率模塊 PCS 206 0

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)

在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨...

2025-04-17 標簽：MOSFET SiC 電源系統(tǒng) 342 0

廣東佳訊邀您一起探究：SiC MOSFET 替代 IGBT ，這是必然走向嗎？

碳化硅MOSFET以其高開關速度、高溫工作能力和低導通電阻等優(yōu)勢，在電動汽車、太陽能逆變器等領域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢，但碳...

2025-01-15 標簽：IGBT SiC MOSFET 579 0

國產(chǎn)SiC MOSFET，正在崛起

來源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經(jīng)成為車企的一大賣點。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)。可見，SiC這一市場在...

2025-01-09 標簽：SiC MOSFET 528 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設備，用戶使用移動設備掃描設備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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